Grant: Research Tools and Instruments - Category 1 (<$150,000)

Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, ce matériau arrive à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limité par ses propriétés physiques très modestes. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. En effet, les sujets proposés traitent de la technologie de fabrication des circuits MMIC à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium qui est un matériau à très grand gap. Dans ce contexte on développe au sein du Centre de Recherche en Nano-fabrication et Nano-caractérisation (CRN2) de l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de circuits HEMT à base du GaN. Ces composants répondront aux besoins de différents domaines d'applications, entre autres, télécommunications, sécurité, défense, spatiale et énergie. Étant déjà équipés d'un analyseur de dispositifs de puissance très récent, d'un analyseur paramétrique et d'un réacteur d'épitaxie CBE, il est proposé dans cette demande de subvention l'achat de différents modules permettant d'atteindre les objectifs de notre projet : i) la station sous pointe pour effectuer les mesures DC haute puissance, ii) la mise à jour du Keithley 4200-SCS pour réaliser les mesures pulsées, et iii) la mise à jour du réacteur CBE pour pouvoir déposer du SiN in-situ. Ces trois éléments sont indispensables pour permettre la réalisation de circuits de haute performance à la base d'interactions largement renforcées avec nos partenaires industriels